Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5511DC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
SI5511DC-T1-GE3 Hakkında
SI5511DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N ve P-channel MOSFET transistör dizisidir. 30V Drain-Source gerilim derecelendirmesi ve 4A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 5V sinyal seviyeleriyle doğrudan kontrole uyumludur. 55mOhm düşük Rds(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. Surface mount 1206-8 paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygundur. Anahtar uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrolü ve doğru akım dönüştürücüler gibi anahtarlama devreleri içerir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. (Not: Bu ürün obsolete statüsündedir.)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A, 3.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.1W, 2.6W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok