Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5511DC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
SI5511DC-T1-E3 Hakkında
SI5511DC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N ve P-Channel MOSFET dizisidir. 30V Drain to Source voltajı ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük voltaj sürücü devrelerle doğrudan çalışabilir. 55mΩ RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. Surface mount 1206-8 paketinde sunulan bileşen, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve kontrol uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Not: Bu ürün production'dan çıkarılmış (Obsolete) olup, yedek parça tedariki sınırlı olabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A, 3.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.1W, 2.6W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok