Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5509DC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
SI5509DC-T1-GE3 Hakkında
SI5509DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel ve P-Channel MOSFET dizisidir. 20V drain-source gerilim sınırlaması ile 6.1A (N-Channel) ve 4.8A (P-Channel) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleri ile çalışabilir; 4.5V Vgs'de 52mOhm maksimum RDS(on) değeri vardır. 1206-8 ChipFET™ paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılır. Analog anahtarlar, güç yönetimi devreleri, sürücü uygulamaları ve sinyal anahtarlama devreleri gibi pek çok alanda tercih edilen bir komponenttir. Küçük gate charge (6.6nC @ 5V) ve düşük input capacitance (455pF @ 10V) değerleri hızlı komütasyon özelliğini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.1A, 4.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 455pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 4.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok