Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI5504DC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
SI5504DC-T1-GE3 Hakkında
SI5504DC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-kanal ve P-kanal MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source gerilim derecelendirilmesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip olan komponent, 2.9A N-kanal ve 2.1A P-kanal sürekli drenaj akımı sağlar. 85mOhm maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sunar. Surface mount 1206-8 ChipFET™ paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi ve sinyal işlemede kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A, 2.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok