Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI5504BDC-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
SI5504BDC

SI5504BDC-T1-GE3 Hakkında

SI5504BDC-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate kontrolüne sahiptir. 65mOhm maksimum on-direnci ve 7nC gate yükü ile düşük güç tüketimi sağlar. Surface mount 8-SMD paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışmaktadır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve genel amaçlı dijital lojik uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A, 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Power - Max 3.12W, 3.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.1A, 10V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok