Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI5504BDC-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
SI5504

SI5504BDC-T1-E3 Hakkında

SI5504BDC-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET dizi bileşenidir. 30V drain-source voltajı ve 4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalıştırılabilir. 65mOhm RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-SMD (1206-8 ChipFET™) paketinde sunulur. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC konvertörler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A, 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Active
Power - Max 3.12W, 3.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.1A, 10V
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok