Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4992EY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC
SI4992EY-T1-GE3 Hakkında
SI4992EY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET'tir. 75V drain-source voltaj kapasitesi ve 3.6A continuous drain akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olan komponent, 10V'de 21nC gate charge ve 10V, 4.8A'de 48mOhm Rds(On) karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu Surface Mount bileşen, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve aydınlatma uygulamalarında tercih edilir. 8-SOIC paketinde sunulan komponent aktif olarak üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 4.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok