Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4973DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
SI4973DY-T1-GE3 Hakkında
SI4973DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 8-SOIC paketli dual P-channel MOSFET transistöridir. 30V Vdss rating ile 5.8A kontinü drain akımına sahip bu bileşen, Logic Level Gate özelliğine sahiptir. Maksimum 23mOhm Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 56nC @ 10V olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, load switching ve dijital lojik kuvvetlendirme uygulamalarında tercih edilir. Surface mount tipi montaj ile PCB tasarımında kompakt yerleşim sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7.6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok