Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI4973DY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4973DY

SI4973DY-T1-E3 Hakkında

SI4973DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET'tir. 30V drain-source gerilimi ve 5.8A sürekli dren akımı ile çalışmaya hazırdır. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 23mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-SOIC surface mount paketinde sunulan SI4973DY, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Endüstriyel elektronik, otomotiv ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 1.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7.6A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok