Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4972DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
SI4972DY-T1-GE3 Hakkında
SI4972DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile çalışan bu komponent, 10.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzeye monte paketinde sunulan SI4972DY, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 14.5mOhm on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Düşük kapı yükü ve hızlı komutasyon özellikleri ile yüksek frekanslı uygulamalara uyguntur. Not: Bu ürün üretim durdurulmuş (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.8A, 7.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.1W, 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok