Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4972DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
SI4972DY-T1-E3 Hakkında
SI4972DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source gerilimi ile 10.8A continuous drain akımına sahip bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 14.5mΩ @ 10V gate-source geriliminde düşük RDS(On) direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC SMD paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. Gate charge değeri 28nC olup hızlı komütasyon gerektiren devreler için uygun konumdadır. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek frekanslı DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.8A, 7.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.1W, 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok