Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4967DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
SI4967DY-T1-GE3 Hakkında
SI4967DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltaj (Vdss) kapasitesine sahip bu bileşen, Logic Level Gate özelliğiyle düşük voltaj uygulamalarında kullanılabilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 23mOhm (Rds On @ 7.5A, 4.5V) on-resistance değerine sahiptir. 55nC maksimum gate charge ile anahtarlama hızı kontrol edilebilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir operasyon sağlar. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve motor kontrol uygulamalarında kullanılan bu dual MOSFET, kompakt tasarımı sayesinde alan kısıtlı projelerde tercih edilir. Notası: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok