Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4967DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
SI4967DY-T1-E3 Hakkında
SI4967DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen 12V Logic Level Gate özellikli çift P-Channel MOSFET transistör dizisidir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 23mOhm (4.5V, 7.5A koşullarında) düşük on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile sürücü devreleri, güç yönetimi ve sinyal anahtarlamada yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, 450mV threshold voltajı sayesinde TTL/CMOS lojik seviyelerinden doğrudan kontrol edilebilir. Ürün, tarafından üretilen ürün olup şu anda üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok