Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4966DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
SI4966DY-T1-GE3 Hakkında
SI4966DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET dizisi olup 8-SOIC yüzey montaj paketi ile sunulmaktadır. 20V Drain-Source gerilim derecelendirilmesi ve 25mOhm (4.5V, 7.1A'de) açık durumda kanal direnci ile anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Logic Level Gate özelliğine sahip bu transistör, düşük gate charge değeri (50nC @ 4.5V) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenli işlem yapabilir. 2W maksimum güç derecelendirilmesi ile motor kontrolü, power distribution switches, load switches ve benzer düşük güçlü DC switching uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmiştir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok