Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4966DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
SI4966DY-T1-E3 Hakkında
SI4966DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. Logic level gate özelliği ile düşük voltaj kontrol sinyalleri ile çalışır. 20V Drain-Source gerilim değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. 25mOhm on-state direnç ile verimli anahtarlama sağlar. 8-SOIC yüzey monte paketinde sunulur. Motor sürücüleri, güç yönetimi devreleri, analog switch uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devreleri için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok