Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4965DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
SI4965DY-T1-GE3 Hakkında
SI4965DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistöridir. 8V Drain to Source gerilim derecesi ile tasarlanmış bu bileşen, Logic Level Gate özelliğine sahip olup 4.5V kontrol geriliminde 21mOhm On-Resistance değerine ulaşır. 8A drain akımında çalışabilme kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Surface Mount paketlemesi ile modern PCB tasarımlarına entegre edilebilir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilme özelliği, geniş endüstriyel ve ticari uygulamalara uygunluğunu sağlar. 55nC gate charge değeri düşük anahtarlama kayıpları için önemlidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok