Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4965DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
SI4965DY-T1-E3 Hakkında
SI4965DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source voltaj derecelendirmesi ile kompakt 8-SOIC yüzey montajlı paket içerisinde sunulmaktadır. Logic level gate özelliğine sahip olan bu bileşen, 4.5V gate voltajında 21mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı gerektiren anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 8A kapasite ile güç yönetimi, load switching ve sinyal kontrol devrelerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans sağlar. Maksimum 2W güç dağıtımı kapasitesine sahip olan komponent, batarya yönetim sistemleri, DC/DC konvertörleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarına uygundur. Bileşen halen üretimi sonlandırılmış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok