Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4963DY
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- SI4963
SI4963DY Hakkında
SI4963DY, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-Channel Power MOSFET'tir. 20V drain-source voltaj ve 6.2A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 33mΩ'luk düşük RDS(On) değeri, güç yönetimi uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. Gate charge 20nC olup hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışan bu komponent, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, yük anahtarlaması ve güç dağıtım yönetimi sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1456pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok