Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4963BDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
SI4963BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4963BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistör dizisidir. 20V Vdss rating ve 4.9A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip olan bu bileşen, 32mOhm Rds(On) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan SI4963, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüler ve genel amaçlı switching uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok