Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4963BDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC
SI4963BDY-T1-E3 Hakkında
SI4963BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. 20V Vdss ile çalışabilen bu komponent, 4.9A maksimum drain akımı sağlar ve logic level gate kontrolü destekler. 32mOhm Rds(On) değeri sayesinde düşük iletim kaybı sunar. 8-SOIC paketinde surface mount olarak monte edilir ve -55°C ile +150°C arasında çalışır. Güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devreleri ve düşük gerilim elektronik sistemlerinde kullanılan bu transistör, 21nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok