Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4953DY
P-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- SI4953
SI4953DY Hakkında
SI4953DY, Rochester Electronics tarafından üretilen dual P-channel power MOSFET dizisidir. Her bir kanal 30V drain-source voltaj ve 4.9A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 53mΩ on-state direnci ile düşük kayıpla anahtarlama işlemi gerçekleştirir. 25nC gate charge ve 750pF input capacitance ile hızlı komutasyon sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 900mW maksimum güç dağıtma yeteneğine sahiptir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, inverter uygulamalarında, motor kontrol sistemlerinde ve anahtarlama kaynakları gibi P-channel MOSFET gerektiren uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok