Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4953ADY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
SI4953ADY-T1-GE3 Hakkında
SI4953ADY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 3.7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleri ile çalışabilir. 53mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-SOIC yüzeye monte paket içinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlaması, motor kontrol, LED sürücüleri ve genel amaçlı switching uygulamalarında kullanılır. 1.1W maksimum power dissipation ile belirlenmiştir. Lojik seviye gate özelliği mikrokontrolör ve dijital devre uygulamalarında doğrudan entegrasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok