Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4952DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
SI4952DY-T1-GE3 Hakkında
SI4952DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen 2N-channel dual MOSFET transistörüdür. 25V drain-source voltaj ve 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 10V'de 18nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama yapabilir. 23mOhm RDS(ON) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-SOIC paket formatında sunulmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 13V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok