Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4952DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
SI4952DY-T1-E3 Hakkında
SI4952DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 25V drain-source geriliminde 8A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 23mOhm on-state direnci (Rds On) ile düşük güç tüketimi sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve analog anahtarlamalar gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Ürün şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 13V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok