Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4948BEY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
SI4948BEY-T1-GE3 Hakkında
SI4948BEY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 2.4A sürekli drain akımı kapasitesiyle sahip olan bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir. 120mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC yüzeye monte paketinde sunulan SI4948BEY, -55°C ile 175°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrol ve genel amaçlı switching devreleri gibi uygulamalarda kullanılan bu transistör, 1.4W maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.4W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 3.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok