Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI4948BEY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4948BEY

SI4948BEY-T1-E3 Hakkında

SI4948BEY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 2.4A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montajlı kasa ile sunulan transistör, 120mOhm RDS(on) değeri sayesinde düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen SI4948BEY-T1-E3, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC konvertör uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 1.4W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 3.1A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok