Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4946CDY-T1-GE3
MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
SI4946CDY-T1-GE3 Hakkında
SI4946CDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 60V Drain-Source gerilimi ve 5.2A sürekli dren akımı kapasitesiyle, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 40.9mOhm RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. SO-8 surface mount paketlemesiyle kompakt devre tasarımlarına uygun olup, 3V eşik gerilimi ile TTL/CMOS lojik seviyeleriyle doğrudan uyumludur. Endüstriyel elektronik, motor kontrol, enerji yönetimi ve anahtarlama regülatör devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W (Ta), 2.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40.9mOhm @ 5.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok