Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4946BEY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
SI4946BEY-T1-GE3 Hakkında
SI4946BEY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 6.5A sürekli drain akımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 3V eşik voltajında açılabilen bu bileşen, motor kontrol, güç kaynağı tasarımları, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.7W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 5.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok