Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
SI4946BEY-T1-E3 Hakkında
SI4946BEY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 60V drain-source gerilimi (Vdss) ile 6.5A sürekli drenaj akımı (Id) kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile 10V'da 25nC gate charge değerine sahip olup, 10V Vgs'de 41mOhm (Rds On) düşük on-direnci sağlar. Surface mount 8-SOIC paket türünde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. 3.7W maksimum güç dağıtma kapasitesiyle güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 840pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.7W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 5.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok