Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4944DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC
SI4944DY-T1-GE3 Hakkında
SI4944DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 9.3A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olması, düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalışmasını sağlar. 9.5mOhm (10V, 12.2A) düşük on-state direnci ile enerji verimliliği gerekli anahtarlama devreleri, motor kontrol, power management ve DC-DC converter uygulamalarında tercih edilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 12.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok