Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4944DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC
SI4944DY-T1-E3 Hakkında
SI4944DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 9.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olması, düşük voltaj kontrol sinyalleri ile çalışabilmesini sağlar. 9.5mOhm'luk düşük RDS(on) değeri, ısı kaybını minimize eder ve verimlilik arttırır. Surface mount 8-SOIC pakette sunulan bu komponent, motor kontrol, power switches, voltage regulators ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 12.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok