Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4943CDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
SI4943CDY-T1-GE3 Hakkında
SI4943CDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve güç dağıtım uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -50°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir ve 3.1W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1945pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.2mOhm @ 8.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok