Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4943CDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
SI4943CDY-T1-E3 Hakkında
SI4943CDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistör dizisidir. 20V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 8A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate özelliği ile TTL/CMOS devrelerle doğrudan uyumludur. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan SI4943CDY, düşük gate charge (62nC @ 10V) ve düşük on-resistance (19.2mOhm @ 8.3A, 10V) özellikleriyle elektrik gücü kaybını minimuma indirir. -50°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, yük kontrolü ve güç dağıtım sistemlerinde kullanılır. 3.1W maksimum güç kabiliyeti ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1945pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.2mOhm @ 8.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok