Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4943BDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
SI4943BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4943BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 20V drain-source gerilim, 6.3A sürekli dren akımı ve 19mOhm on-resistance (10V, 8.4A koşullarında) özellikleriyle anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle (3V eşik gerilimi @ 250µA) çalışabilir. -55°C ile +150°C arasında işletim sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Pil yönetimi, LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç anahtarlaması devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 8.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok