Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4943BDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
SI4943BDY-T1-E3 Hakkında
SI4943BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 8-SOIC yüzey montajlı pakette gelen bu bileşen, 20V Vdss ve 6.3A sürekli dren akımı ile çalışmaktadır. Logic level gate özelliğine sahip olan cihaz, 19mOhm RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 25nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Maksimum güç tüketimi 1.1W'dır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, DC/DC konvertörler, güç yönetimi devreleri, yük anahtarlaması ve gümrük anahtarlama (reverse polarity protection) uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 8.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok