Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4942DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC
SI4942DY-T1-GE3 Hakkında
SI4942DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 40V drain-source gerilimi ve 5.3A sürekli drain akımı ile çalışır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan komponentin açık durum direnci (RDS on) 10V'de 21mOhm'dur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu dual transistör yapısı, PWM kontrolü, motor sürücüleri, güç anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Gate eşik gerilimi 3V olup, 32nC gate yükü ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Düşük RDS on değeri ile ısıl kayıplar minimize edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 7.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok