Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4942DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 5.3A 8-SOIC
SI4942DY-T1-E3 Hakkında
SI4942DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V Drain-Source gerilim desteği ve 5.3A maksimum sürekli drain akımı özelliğine sahiptir. Logic Level Gate girişi sayesinde düşük kontrol gerilimi ile çalışabilir. 8-SOIC yüzey monte paketlemesi ile tasarlanmıştır. 21mOhm (10V, 7.4A) on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Motor kontrolü, güç yönetimi, akı düzenleme ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde uygulanır. Maks 1.1W güç dissipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 7.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok