Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI4941EDY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 30V 10A 8-SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4941EDY

SI4941EDY-T1-E3 Hakkında

SI4941EDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source voltaj ve 10A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 21mOhm RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Gate charge değeri 70nC @ 10V'tur. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yer alır. Mevcut durumu Obsolete olup, yeni tasarımlarda yerini daha yeni versiyonlara bırakmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 3.6W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8.3A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok