Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4940DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 4.2A 8-SOIC
SI4940DY-T1-GE3 Hakkında
SI4940DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 40V drain-source gerilimi ve 4.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olması, düşük kontrol gerilimlerinde çalışmayı mümkün kılar. 36mOhm on-direnci ile enerji kaybı minimize edilmiş, 8-SOIC yüzey montajı paketinde sunulmuştur. DC/DC konvertörleri, güç dağıtımı sistemleri, motor kontrolü ve anahtarlama devrelerinde uygulanabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok