Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4936DY
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- SI4936
SI4936DY Hakkında
SI4936DY, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel Power MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 5.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 37mOhm olan düşük RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 900mW maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahip olup, -55°C ile +150°C işletme sıcaklığı aralığında çalışır. Surface mount 8-SOIC paket içinde dual kanalı bulunduran bu MOSFET, motorlar, anahtarlama güç kaynakları, LED sürücüleri ve diğer güç yönetim devreleri tasarımlarında yaygın olarak uygulanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 5.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok