Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4936CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
SI4936CDY-T1-GE3 Hakkında
SI4936CDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 5.8A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 40mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC SMD paketinde sunulan SI4936CDY, -55°C ile +150°C arasında çalışmakta ve 2.3W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 325pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok