Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4936BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
SI4936BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4936BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj desteği ile 6.9A sürekli drain akımı sağlayabilen bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paket içinde sunulan SI4936, 35mOhm ile-on direnci, 15nC gate yükü ve 530pF giriş kapasitansına sahiptir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, step-down konvertörleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 2.8W maksimum güç tüketimi ile düşük güç tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok