Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4936ADY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC
SI4936ADY-T1-GE3 Hakkında
SI4936ADY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source gerilimi ve 4.4A sürekli drain akımı ile güç yönetimi, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 10V gate geriliminde 36mOhm (tipik) on-resistance değeri düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Endüstriyel kontrol, enerji dönüşüm sistemleri, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 5.9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok