Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

SI4933DY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4933DY

SI4933DY-T1-GE3 Hakkında

SI4933DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 12V Vdss derecesinde, 7.4A sürekli drain akımı ile çalışır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 4.5V gate voltajında 14mOhm (Rds On) ile düşük iletim direncine sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve düşük voltaj kontrol sistemlerinde kullanılır. Gate eşik voltajı 500µA'da 1V olup, 70nC gate yükü ile hızlı komütasyon sağlar. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 4.5V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 1.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9.8A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 500µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok