Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4933DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 7.4A 8-SOIC
SI4933DY-T1-E3 Hakkında
SI4933DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, maksimum 7.4A drain akımında çalışabilir ve 12V drain-source gerilimi ile tasarlanmıştır. 14mOhm RDS(on) değeri ile düşük geçiş direncine sahiptir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu MOSFET, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve entegre devre seviyesi anahtar tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan ve maksimum 1.1W güç tüketen bu bileşen, portatif cihazlar ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 9.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok