Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4932DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
SI4932DY-T1-GE3 Hakkında
SI4932DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 8A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate kontrolü ile düşük sürücü voltajlarında çalışabilir. 15mOhm on-resistance (Rds On) değeri ile iletim kayıplarını minimuma indirir. Anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri ve PWM kontrolü gereken elektronik devrelerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1750pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3.2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok