Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4931DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
SI4931DY-T1-GE3 Hakkında
SI4931DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörüdür. 12V Drain-Source voltaj desteği ile 6.7A sürekli drain akımı sağlayabilir. Logic Level Gate özelliğine sahip olan bu bileşen, düşük gate voltaj kontrolü gerektiren uygulamalarda kullanılır. 18mΩ on-resistance değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC konvertörleri, batarya yönetim sistemleri ve enerji dağıtım sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 4.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 8.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok