Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4925DDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
SI4925DDY-T1-GE3 Hakkında
SI4925DDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen çift P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı özellikleriyle anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 29mΩ (10V, 7.3A koşullarında) RDS(On) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güç yönetimi, motor kontrolü ve AC/DC dönüştürücü devrelerde uygulanır. 50nC gate charge ve 1350pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok