Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4925BDY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
SI4925BDY-T1-E3 Hakkında
SI4925BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörleridir. 30V drain-source gerilimi ve 5.3A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 25mΩ RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve analog sinyal işlemede kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına uyum gösterir. Gate şarj 50nC ile hızlı komütasyon özelliği taşır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok