Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
SI4923DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC
SI4923DY-T1-GE3 Hakkında
SI4923DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 6.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük gate geriliminde çalışabilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 21mOhm on-state direnci ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel elektronik, güç dönüştürücüleri ve kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 1.1W güç dissipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok